功能描述:IGBT 模块
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
6PS03017E33G28219
6PS03017E33G30877
6PS03017E33G30907
6PS03017E33G30908
6PS04006E33G29000
6PS04006E33G30854
6PS04012E33G26572
6PS04012E33G27477
6PS04012E33G27620
6PS04012E33G28408
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